特許
J-GLOBAL ID：200903064467367017
横電流遮断発光ダイオードおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-016027
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165590
出願日： 2003年01月24日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】横電流を遮断するために用いられるトレンチのエッチングが第1の極性の半導体層を露出する工程と同時に実行でき、製造コストが増加しないことを特徴とする横電流遮断LEDとその製造方法を提供する。【解決手段】横電流遮断LEDが基板110と、基板100上に配置された第1の極性の半導体層130と、第1の極性の半導体層130の一つの部分の上に配置され、活性層150、ならびに少なくとも一つのトレンチ180を有し、トレンチ180の深さが少なくとも活性層150に達する半導体エピタキシャル構造と、第1の極性の半導体層130の他の部分の上に配置される第1の極性の金属電極パッド190と、半導体エピタキシャル構造の上に配置され、第1の極性の金属電極パッド190と第2の極性の金属電極パッド200bが少なくとも一つのトレンチ180の互いに反対側に配置されるような第2の極性の金属電極パッド200bとを備える。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
横電流遮断発光ダイオードであって、
基板と、
基板上に配置された第1の極性の半導体層と、
第1の極性の半導体層の一つの部分の上に配置され、活性層、ならびに少なくとも一つのトレンチを有する半導体エピタキシャル構造であって、少なくとも一つのトレンチの深さが少なくとも活性層に達するような半導体エピタキシャル構造と、
第1の極性の半導体層の他の部分の上に配置された第1の極性の金属電極パッドと、
半導体エピタキシャル構造の上に配置された第2の極性の金属電極パッドであって、第1の極性の金属電極パッドと第2の極性の金属電極パッドが少なくとも一つのトレンチの互いに反対側に配置されるような第2の極性の金属電極パッドと、
を備えることを特徴とする横電流遮断発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA75
