特許
J-GLOBAL ID：200903025914962402
窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-248775
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087930
出願日： 2002年08月28日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】光の取り出し効率の上昇【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、基板上1に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層21と、活性層20と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層22が順に積層され、同一面内に少なくともpn1対の電極31,4が形成され、n電極4がn型窒化ガリウム系化合物半導体層21を一部露出させたn電極4形成面上に形成され、p電極31が、p主電極と、p主電極からp型窒化ガリウム系化合物半導体層22全面に電流を拡散させるためのp補助電極32からなる窒化物半導体発光素子において、p電極に近接して電流阻止溝51が形成され、該溝51が少なくともn電極形4成面よりも深いことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、活性層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層が順に積層され、同一面内に少なくともpn1対の電極が形成され、n電極がn型窒化ガリウム系化合物半導体層を一部露出させたn電極形成面上に形成され、p電極が、p主電極と、p主電極からp型窒化ガリウム系化合物半導体層全面に電流を拡散させるためのp補助電極からなる窒化物半導体発光素子において、
p主電極に近接して電流阻止溝が形成され、該溝が少なくともn電極形成面よりも深いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA88
, 5F041CA93
