特許
J-GLOBAL ID：200903064470464686
配線材料、配線層の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210560
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306693
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】電気抵抗が10μΩ・cm以下、好ましい実施例では5μΩ・cm程度と極めて低く、高温においてヒロック・ピンホール等の欠陥が発生せず、陽極酸化膜の耐電圧が高い配線材料を得ることを目的とする。【構成】合計の添加量が0.1〜3.0原子%であるY,La,Nd,Gd,Dyの中から選択されたいずれか一つ以上の希土類元素が添加されたAlからなる配線材料であって爾後の熱処理によってAlと上記希土類元素の金属間化合物をマトリクス中に析出させた。また、合計の添加量が0.5〜3.0原子%Pr,Sm,Ho,Erの中から選択されたいずれか一つ以上の希土類元素が添加されたAlからなる配線材料であって爾後の熱処理によってAlと上記希土類元素の金属間化合物をマトリクス中に析出させた。熱処理の温度はいずれも250〜450°Cの範囲が望ましい。これらの配線材料を陽極酸化することによって耐電圧が7MV/cm以上と極めて高い絶縁膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
実質的にAlと希土類元素とからなり、上記希土類元素がY,La,Nd,Gd,Dyの中から選択されたいずれか一つ以上であり、その合計の添加量が0.1〜2.5原子%である配線材料であって、250〜450°Cで熱処理を施したことを特徴とする配線材料。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, G02F 1/1345
H01L 21/88 M
, G02F 1/1345
