光半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-204782
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047832
出願日： 2002年07月12日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】LD駆動回路の立ち上がり時間と立ち下がり時間との非対称性を改善するとともに、バイアス回路に伴なう通過帯域のリップルを改善し、光出力波形の品質を向上する。【解決手段】光半導体素子20の一端に接続され、この光半導体素子20に電気信号を供給する第1の導体線路と、光半導体素子20の他端に接続され、この光半導体素子20に電気信号を供給する第2の導体線路と、光半導体素子20の一端に接続され、高周波の電気信号を遮断する第1のインダクタンス素子21aと、光半導体素子20の他端に接続され、高周波の電気信号を遮断する第2のインダクタンス素子21bとを備え、第1、第2の導体線路が差動線路を成す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光半導体素子と、前記光半導体素子の有する一対の電極の一方に接続され、この光半導体素子に電気信号を供給する第1の導体線路と、前記光半導体素子の有する一対の電極の他方に接続され、この光半導体素子に電気信号を供給する第2の導体線路と、前記光半導体素子の一方の電極と前記第1の導体線路とに接続された第1のインダクタンス素子と、前記光半導体素子の他方の電極と前記第2の導体線路とに接続された第2のインダクタンス素子と、を備え、前記第1、第2の導体線路は、一対の差動線路を成す光半導体装置。

IPC (7件)：

H01S5/042 , H01S5/022 , H04B10/04 , H04B10/06 , H04B10/14 , H04B10/26 , H04B10/28

FI (3件)：

H01S5/042 630 , H01S5/022 , H04B9/00 Y

Fターム (22件)：

5F073AB27 , 5F073AB28 , 5F073BA02 , 5F073EA14 , 5F073EA17 , 5F073EA29 , 5F073FA07 , 5F073FA08 , 5F073FA15 , 5F073FA27 , 5F073FA28 , 5F073FA30 , 5F073GA24 , 5F073GA25 , 5F073GA38 , 5K102AA51 , 5K102KA01 , 5K102KA39 , 5K102MA01 , 5K102MB02 , 5K102MB13 , 5K102MH32

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体レーザの駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-172114 出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (1件)

半導体レーザの駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-172114 出願人：三洋電機株式会社

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