特許

J-GLOBAL ID：200903064484672249

ダイナミック型半導体記憶装置

発明者： 大場 英史 ,  高島 大三郎 ,  中野 浩明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234768
公開番号（公開出願番号）：特開平7-093971
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 各アドレスに対する不必要な短い周期のリフレッシュ動作を省略することができ、リフレッシュ消費電力の低減をはかり得るダイナミック型半導体記憶装置を提供すること。【構成】 一定のポーズ時間内にメモリセルのリフレッシュ動作を必要とするダイナミック型半導体記憶装置において、リフレッシュアドレスを一定の周期で発生すリフレッシュアドレス発生回路12と、リフレッシュアドレス内のポーズ時間が最短(TREFmax)のビットに合せて、リフレッシュアドレスをTREFmax〜N×TREFmax,N×TREFmax〜N′×TREFmax,N′×TREFmax〜の3種類に分類して記憶するメモリ16,17と、分類記憶された情報を基にポーズ時間が最も短いリフレッシュアドレスより2倍以上長くなる分類に属するリフレッシュアドレスに対して、不要な周期のリフレッシュを省略する回路とを備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

一定のポーズ時間内にメモリセルのリフレッシュ動作を必要とするダイナミック型半導体記憶装置において、リフレッシュアドレスを一定の周期で発生させるリフレッシュアドレス発生回路と、リフレッシュアドレス内のポーズ時間が最短のビットに合せて、リフレッシュアドレスを2種類以上に分類して記憶する手段と、分類記憶された情報を基にポーズ時間が最も短いリフレッシュアドレスより2倍以上長くなる分類に属するリフレッシュアドレスに対して、不要な周期のリフレッシュを省略する手段とを具備してなることを特徴とするダイナミック型半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-250489
  
• ダイナミツク型半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-264802   出願人：シヤープ株式会社
• 特開平3-250489