特許

J-GLOBAL ID：200903064503510018

低κ誘電性無機/有機ハイブリッドフィルム及びその製造方法

発明者： ローズ ピーター ,  ロパタ ユージーン ,  フェルツ ジョン
出願人/特許権者： シリコン ヴァレイ グループ サーマル システムズ リミテッド ライアビリティ カンパニー
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-545704
公開番号（公開出願番号）：特表2002-513203
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2002年05月08日
要約：

【要約】化学蒸着(CVD)により半導体及び/又は集積回路に低誘電率を示す誘電性フィルムを付着する方法が提供される。フィルムは、残基フィルムがSi-O-Si又はSi-N-Si基から実質的になるバックボーン構造及び前記バックボーン構造に結合している有機側基からなるように、有機ケイ素化合物プリカーサーを使用して付着する。

請求項（抜粋）：

半導体又は集積回路上の低誘電率を有する誘電性フィルムであって、 無機基から実質的になるバックボーン構造、及び、 該バックボーン構造に結合して、無機及び有機材料のハイブリッドを形成する有機側基、を含み、該ハイブリッドが4.0未満の誘電率を有し、かつ、窒素下で400°Cで1時間の加熱につき2%未満の質量減少を示すフィルムを提供することを特徴とするフィルム。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  B32B 9/04 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  B32B 9/04 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/90 S

Fターム (47件)：

4F100AA00A ,  4F100AA20C ,  4F100AH00B ,  4F100AH06B ,  4F100AK52A ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH66A ,  4F100EH66B ,  4F100GB41 ,  4F100JG05 ,  4F100YY00 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BA61 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030FA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F033RR23 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033WW03 ,  5F033WW07 ,  5F033WW09 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 層間絶縁膜形成用材料及び層間絶縁膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-307943   出願人：松下電器産業株式会社
• 多孔質膜の形成方法及び多孔質膜の形成材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-029431   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (2件)

• 層間絶縁膜形成用材料及び層間絶縁膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-307943   出願人：松下電器産業株式会社
• 多孔質膜の形成方法及び多孔質膜の形成材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-029431   出願人：松下電器産業株式会社