特許

J-GLOBAL ID：200903064505742110

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 杉田 充
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-330762
公開番号（公開出願番号）：特開2003-132693
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 フラッシュEEPROMは、書換え回数の制限があり、書換え頻度の高い特定のメモリブロックが早期に不良となるためかかるメモリブロックを救済することを目的とする。【解決手段】 書換え頻度の低い大容量メモリブロックに不良メモリブロックの不良情報を格納し、格納された不良情報を参照して、不良メモリブロックが選択された場合にバックアップメモリブロックを選択するブロック選択回路を設ける。

請求項（抜粋）：

データの書換え頻度の高いメモリセルを含む複数の第1のメモリブロックと、データの書換え頻度の低いメモリセルを含む第2のメモリブロックと、前記複数の第1のメモリブロックのうちの不良メモリブロックを置換するための冗長メモリブロックとを含むメモリアレイと、各前記複数の第1のメモリブロックに対するデータ書込処理時に、データ書込対象である各前記複数の第1のメモリブロックの不良が生じているかどうかを判定するとともに、不良が検出された場合には、前記不良メモリブロックを示すための不良情報を前記第2のメモリブロックの第1の領域に格納するための制御回路と、前記第2のメモリブロックの前記第1の領域に格納された前記不良情報および各前記複数の第1のメモリブロックの選択を示すための選択情報に基いて、前記不良メモリブロックの選択に伴い前記冗長メモリブロックを選択するための選択回路とを備える、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 29/00 601 ,  G06F 12/16 310 ,  G06F 12/16 ,  G06F 12/16 330 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (6件)：

G11C 29/00 601 D ,  G06F 12/16 310 H ,  G06F 12/16 310 Q ,  G06F 12/16 330 D ,  G11C 17/00 601 E ,  G11C 17/00 639 Z

Fターム (17件)：

5B018GA01 ,  5B018GA06 ,  5B018HA01 ,  5B018KA01 ,  5B018KA13 ,  5B018NA06 ,  5B018QA15 ,  5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD13 ,  5B025AE08 ,  5L106AA10 ,  5L106CC09 ,  5L106CC16 ,  5L106CC38 ,  5L106FF04 ,  5L106GG07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-167644
  
• EEPROMを用いた記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-080514   出願人：ローム株式会社
• 半導体集積回路装置およびそれを用いたメモリカード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-133775   出願人：株式会社日立製作所