特許
J-GLOBAL ID：200903064508013667
半導体装置の製造方法および製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-121256
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077474
出願日： 1993年05月24日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 熱処理時の外方拡散を防止し、しきい値電圧の変動や電流駆動能力の低下を防止する。【構成】 LDD構造をもつMOSトランジスタでは、P型シリコン基板101表面にウェル領域102,103を形成し、基板101上にゲート酸化膜105と、ゲート電極となるN+型多結晶シリコン膜106,107とを順次形成する。多結晶シリコン膜106,107にはリン原子を3×1020/cm3程度ドーピングする。この後、ソース/ドレイン領域114となるリン注入により形成されたLDD領域110はシリコン基板101表面が露出した状態になる。続いてゲート電極に側壁を形成する。側壁材料の密着性を強化し、注入したリンイオン109の活性化のため、アニールと酸化膜の形成をする。熱処理の初期の段階では1〜5体積%の酸素を含む窒素ガスで処理する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に高濃度の不純物拡散層あるいは高濃度の不純物を含有する導電膜を形成し、その後、前記不純物拡散層あるいは導電膜に覆われた領域以外の前記半導体基板表面に酸化膜を形成するに当り、前記半導体基板を酸化装置に導入する第1の工程と、導入後所定の温度とする第2の工程と、前記所定の温度でアニールを行なう第3の工程からなり、前記第1,2,3の工程を酸素と窒素との混合雰囲気中で処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/784
, H01L 21/22
, H01L 21/316
, H01L 27/04
