SiC縦型半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：櫻井俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-295577
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139340
出願日： 1994年11月04日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】製造時間と労力を大幅に低減できるSiC 縦型半導体装置の製造方法を提供する。【構成】各選択領域の表面にダイヤモンドの層12を形成する工程を電気的分離工程の前に含み、かつ、選択的に除去された領域を埋めるのに十分な厚みの絶縁物の層を基板の表面に堆積したのちダイヤモンドの層12に達する深さまで機械的な研磨を行うことにより電気的に分離された各縦型半導体装置の周囲に基板の高さとほぼ同一の高さの平坦面を有する保護層14を形成する工程を物理的分離工程の前に含むと共に、この物理的分離工程は各縦型半導体装置の周囲に形成された保護層14を含めて行われる。

請求項（抜粋）：

SiC結晶の基板の深さ方向に配列される縦型半導体装置を形成し、前記基板の表面に選択した複数の選択領域以外の領域を表面から前記縦型半導体装置の最深の部分を越える深さまで選択的に除去することにより電気的に分離された複数の縦型半導体装置を得る電気的分離工程と、前記電気的に分離された複数の半導体装置を前記基板の横方向に物理的に分離する物理的分離工程と、この物理的分離工程に先立つ適宜な段階において前記基板の表裏両面に電極を形成する電極形成工程とを含むSiC縦型半導体装置の製造方法であって、前記基板の表面の複数の選択領域のそれぞれにダイヤモンドの層を形成する工程を前記電気的分離工程の前に含み、前記選択的に除去された領域を埋めるのに十分な厚みの絶縁物の層を前記基板の全表面に堆積したのち前記ダイヤモンドの層に達する深さまで機械的な研磨を行うことにより前記電気的に分離された各縦型半導体装置の周囲に基板の表面とほぼ同一の高さの平坦面を有する保護層を形成する工程を前記物理的分離工程の前に含み、かつ前記物理的分離工程は、前記電気的に分離された各縦型半導体装置の周囲に形成された保護層を含めて行われることを特徴とするSiC縦型半導体装置の製造方法。

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭50-125679
特開昭56-158488
埋込み絶縁層を有する接着ウェハ構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-111533 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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