特許
J-GLOBAL ID：200903064523919060
スパッタタ-ゲット
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180773
公開番号（公開出願番号）：特開2000-104164
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 DD配線技術などを適用してAl配線膜を形成する際に、Al膜のライナー材としてのNb膜の電気特性や品質を高めることを可能にしたスパッタターゲットが求められている。【解決手段】 スパッタターゲットは、Ta含有量が3000ppm 以下、酸素含有量が200ppm以下の高純度Nbからなる。スパッタターゲット中のTa含有量のバラツキは、ターゲット全体として±30% 以内とされている。また、酸素含有量のバラツキは、ターゲット全体として±80% 以内とされている。さらに、スパッタターゲット中のNbの各結晶粒は、平均結晶粒径に対して 0.1〜10倍の範囲の粒径を有すると共に、隣接する結晶粒の粒径サイズの比が 0.1〜10の範囲とされている。これらスパッタターゲットは、Al配線のライナー材としてのNb膜の形成に好適である。
請求項（抜粋）：
Ta含有量が3000ppm 以下の高純度Nbからなることを特徴とするスパッタターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, H01L 21/285
, C22C 27/02 102
C23C 14/34 A
, H01L 21/285 S
, C22C 27/02 102 Z
