特許

J-GLOBAL ID：200903064528582714

薄膜集積回路の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  荒井 康行 ,  寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-195960
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053290
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【目的】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置においてフレキシビリティーのあるものを提供する。【構成】 ガラス基板101上に薄膜トランジスタを形成し、アクリル樹脂等でなる封止層119を介して透光性を有し、かつ可撓性を有する樹脂基板120を接着する。そして、ガラス基板101を剥離することにより、可撓性を有する樹脂基板120上に薄膜トランジスタが形成された構成を得る。こうして、可撓性を有した樹脂基板を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置用のパネルを得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板の上方に剥離層を介して前記薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路を形成し、前記剥離層を除去することで、前記薄膜集積回路を基板から分離することを含む薄膜集積回路の作製方法であって、前記薄膜集積回路の形成は、前記剥離層の上方に非晶質珪素膜を形成し、該非晶質珪素膜を結晶化し、該結晶化された珪素膜で前記薄膜トランジスタの活性層を形成することを含むことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20

FI (6件)：

H01L 29/78 627 D ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 高強度高靭性溶融めっき鋼線およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-189644   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-048531   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体回路およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-067982   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-178633
  
• 特表平6-504139