特許
J-GLOBAL ID：200903064530035992
半導体装置の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-233305
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107100
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【目的】 珪素の結晶化を助長する金属元素であるニッケル元素を利用して結晶化させた結晶性珪素膜を利用して薄膜トランジスタを作製する場合において、その特性のバラツキや劣化を抑制する。【構成】 非晶質珪素膜103の表面に接して珪素の結晶化を助長する金属元素であるニッケルを含んだ溶液(ニッケル酢酸塩溶液)をスピンコート法で塗布する。そして加熱処理を加えることにより、結晶性珪素膜105を得る。この状態において、膜中に形成されたニッケルシリサイド成分106〜108をフッ酸と過水と水の混合溶液でもって除去する。こうしてニッケル成分の影響を排除した結晶性珪素膜を得る。
請求項（抜粋）：
非晶質珪素膜に接して珪素の結晶化を助長する金属元素を接して保持させる工程と、加熱処理を加え前記非晶質珪素膜を結晶化させ結晶性珪素膜を得る工程と、前記金属元素のシリサイド成分を選択的に除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/324
, H01L 27/12
H01L 29/78 616 A
, H01L 21/324 Z
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 612 A
, H01L 29/78 616 M
, H01L 29/78 627 G
