半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-274738
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088185
出願日： 2005年09月21日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】オン抵抗の増大を抑えつつノーマリオフ型を実現する半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】第1の窒化物半導体からなり、上面に段部を有する第1の層と、前記第1の窒化物半導体よりもバンドギャップが大なる第2の窒化物半導体からなり、前記段部を覆って前記第1の層の上に積層され、前記段部の側面上の厚さが、前記側面の上側及び下側の主面上の厚さよりも小さい第2の層と、前記段部の前記側面の上において、前記第2の層の上に設けられたゲート電極と、前記側面の上側及び下側の主面のいずれか一方の上において、前記第2の層の上に設けられたソース電極と、前記側面の上側及び下側の主面のいずれか他方の上において、前記第2の層の上に設けられたドレイン電極と、を備えた半導体装置を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の窒化物半導体からなり、上面に段部を有する第1の層と、前記第1の窒化物半導体よりもバンドギャップが大なる第2の窒化物半導体からなり、前記段部を覆って前記第1の層の上に積層され、前記段部の側面上の厚さが、前記側面の上側及び下側の主面上の厚さよりも小さい第2の層と、前記段部の前記側面の上において、前記第2の層の上に設けられたゲート電極と、前記側面の上側及び下側の主面のいずれか一方の上において、前記第2の層の上に設けられたソース電極と、前記側面の上側及び下側の主面のいずれか他方の上において、前記第2の層の上に設けられたドレイン電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (14件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GR01 , 5F102GR03 , 5F102GR11 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102HC02

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法、電力増幅器、並びに、無線通信システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-149000 出願人：シャープ株式会社

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