特許
J-GLOBAL ID：200903073401720912
半導体装置およびその製造方法、電力増幅器、並びに、無線通信システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-149000
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347315
出願日： 2002年05月23日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 閾値電圧が0V以上である半導体装置を提供する。【解決手段】 サファイア(0001)基板11上に、主面に対して垂直な軸をc軸としてGaNバッファ層14を結晶成長させる。こうして、GaN(1-101)ファセット面14aを形成し、ファセット面14a上に電子走行層15と障壁層16とを形成する。そして、ソース,ドレイン電極形成領域に高濃度n型領域20,20を形成し、障壁層16上にソース電極17,ドレイン電極19およびゲート電極18を形成する。この場合、電子走行層15と障壁層16との界面の面方位が(1-101)面となっている。したがって、上記界面に発生する分極電荷が小さくなり、上記界面に発生する2次元電子ガスの濃度も小さくなって、閾値電圧が0V以上となる。こうして、負電圧に因らずに動作可能なヘテロ接合電界効果トランジスタが得られる。
請求項（抜粋）：
少なくとも電子走行層および障壁層を有する半導体装置において、上記電子走行層と障壁層との界面の面方位が(1-101)面であり、動作の閾値電圧が0V以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/80
, H01L 29/812
H01L 29/80 H
, H01L 29/80 V
5F102FA07
, 5F102GA01
, 5F102GB05
, 5F102GC07
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GR01
, 5F102GS01
, 5F102GT01
, 5F102HC01
, 5F102HC02
, 5F102HC07
, 5F102HC19
