特許
J-GLOBAL ID：200903064538318292

ドライエッチング装置

発明者：
岡本 哲也

岡本 哲也 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 前田 弘 ,  竹内 祐二 ,  米田 圭啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-186604
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013058
出願日： 2004年06月24日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】高いエッチングレートを有しエッチング後の表面のイオン損傷を防止するエッチング装置を提供する。【解決手段】気密状態を保持する第1のエッチング処理室1と第2のエッチング処理室9とがゲートバルブ8を介して連結されている。第1のエッチング処理室1では高密度プラズマによるエッチングが基板6に対して行われ、この基板6はゲートバルブ8を通って第2のエッチング処理室9に移動する。第2のエッチング処理室9では、光エッチングが基板16に対して行われる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1及び第2のエッチング処理室を備えたドライエッチング装置であって、 前記第1のエッチング処理室は、第1の処理ガスを導入する第1導入口と、マイクロ波プラズマ導入部とを備え、気密状態に密閉可能であり、 前記第2のエッチング処理室は、第2の処理ガスを導入する第2導入口と、5.6eVよりも大きなエネルギーを有する光を発生させる光源と、該光を室内に導入する光透過窓とを備え、気密状態に密閉可能であることを特徴とする、ドライエッチング装置。
IPC (1件)：
H01L 21/306
FI (1件)：
H01L21/302 101G
Fターム (20件)：
5F004AA06 ,  5F004BA19 ,  5F004BA20 ,  5F004BB02 ,  5F004BB04 ,  5F004BB14 ,  5F004BB29 ,  5F004BC03 ,  5F004BC06 ,  5F004BD03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB30 ,  5F004EA28 ,  5F004EA34
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 光エツチング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-193620   出願人：ソニー株式会社

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