特許
J-GLOBAL ID：200903064538896172

スピネル型フェライト薄膜およびその製造方法

発明者：
川合 知二

川合 知二 について

, 
田畑 仁

田畑 仁 について

, 
村岡 祐治

村岡 祐治 について


出願人/特許権者：
大阪大学長

大阪大学長 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-035119
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230117
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 室温付近またはそれよりも高い温度でスピングラス状態を実現でき、しかも光によりスピン状態を制御できるスピネル型フェライト薄膜を提供する。【解決手段】 真空容器内に基板およびターゲットを設置し、真空容器内の酸素分圧を1×10-5Torr以下に設定して、レーザービームデポジションにより基板上に成膜された、一般式AE1+tFe2-2tTMtO4(ここで、AEはアルカリ土類金属またはアルカリ金属を示し、TMは遷移金属を示し、0.2≦t≦0.6である)またはZn1-xCoxFe2O4(ここで、0.2≦x≦0.7)で表されるスピネル型フェライト薄膜。
請求項（抜粋）：
下記一般式AE1+tFe2-2tTMtO4(ここで、AEはアルカリ土類金属またはアルカリ金属を示し、TMは遷移金属を示し、0.2≦t≦0.6である)、またはZn1-xCoxFe2O4(ここで、0.2≦x≦0.7)で表されることを特徴とするスピネル型フェライト薄膜。
IPC (8件)：
H01F 10/20 ,  C01G 49/00 ,  C01G 51/00 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/28 ,  G11B 11/105 506 ,  G11B 11/105 521 ,  G11B 11/105 546
FI (8件)：
H01F 10/20 ,  C01G 49/00 A ,  C01G 51/00 B ,  C23C 14/06 K ,  C23C 14/28 ,  G11B 11/105 506 D ,  G11B 11/105 521 B ,  G11B 11/105 546 B
Fターム (30件)：
4G002AA07 ,  4G002AA10 ,  4G002AB01 ,  4G002AD00 ,  4G002AE03 ,  4G048AA04 ,  4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AC03 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  4K029AA04 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA48 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BC06 ,  4K029BD12 ,  4K029CA01 ,  5D075FF07 ,  5D075GG02 ,  5D075GG16 ,  5E049AB04 ,  5E049AB09 ,  5E049BA06 ,  5E049EB05 ,  5E049FC10
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開平3-273540
  • 特開平4-142719
  • 特開昭55-149190
審査官引用 (6件)
  • 特開平3-273540
  • 特開平4-142719
  • 特開昭55-149190
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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