特許
J-GLOBAL ID：200903064578018895
集束イオンビーム装置及び集束イオンビーム装置の加工位置設定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-300509
公開番号（公開出願番号）：特開2007-109560
出願日： 2005年10月14日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】試料へのダメージを最小化し高精度の加工位置決めを行うことができる集束イオンビーム装置を提供する。【解決手段】集束イオンビーム装置は、検出器からの二次粒子信号によって生成された原画像を画素補間により拡大し表示する。ズーム率が大きい場合には、ビーム偏向分解能の範囲内で一度画像の再取得を実施し、それを原画像として画素補間を行い、高いズーム率の画像を得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
試料に集束イオンビームを照射する照射系と、上記集束イオンビームを偏向する偏向制御系と、上記試料からの二次粒子信号を検出する検出器と、該検出器からの信号より上記試料の走査イオン顕微鏡像を生成する原画像生成部と、該生成された原画像の全部もしくは一部を表示する表示装置と、該表示された顕微鏡像をもとに集束イオンビームを局所照射する領域を設定する加工位置設定部と、ユーザからの指示を入力する入力装置とを有し、
上記画像表示部に原画像を画素補間して表示する機能を有することを特徴とする集束イオンビーム装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
2G001AA05
, 2G001BA06
, 2G001CA05
, 2G001GA01
, 2G001GA06
, 2G001HA13
, 2G001JA02
, 5C034DD05
, 5C034DD09
