特許

J-GLOBAL ID：200903064580869819

メモリ装置、情報格納処理、処理、及び構造物質

発明者： ジェイムズ・スタニスラヴ・ウィリアムズ ,  ジョディー・エリザベス・ブラドビー ,  マイケル・ヴィンセント・スウェイン
出願人/特許権者： リオタ・ピーティーワイ・リミテッド
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-543318
公開番号（公開出願番号）：特表2007-513525
出願日： 2004年12月09日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：

物質(1502)の1又は2以上の領域(1510、1512)への圧力を印加又は除去することによって形成された複数のナノスケールメモリセル(1510、1512)を備えたメモリ装置である。電気伝導読出プローブ(1514)は、前記領域の伝導度及びこれによりセル中に格納された情報を決定する。書込プローブ(1508)は、これらのセルの電気伝導度及びこれによりセル中に格納された情報を変化させるために、選択セルへの圧力の印加又は除去を行う。

請求項（抜粋）：

物質の1又は2以上の領域に圧力を印加する処理と、 前記圧力を除去することによって前記1又は2以上の領域に情報を格納する処理と、を有する、情報格納処理方法。

IPC (1件)：

H01L 27/105

FI (1件)：

H01L27/10 448

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083HA10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ユニバーサルメモリ素子を使用するシステムを有するユニバーサルメモリ素子と、同メモリ素子を読み取り、書き込み、またプログラムするための装置と方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-611284   出願人：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
• 特開昭60-180886
  
• データ読出し/書込みシステム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-575942   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• ひずみ依存導電素子を備えた圧電アレイおよびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-394630   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション