特許
J-GLOBAL ID:200903064432907892
ひずみ依存導電素子を備えた圧電アレイおよびその方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-394630
公開番号(公開出願番号):特開2004-207697
出願日: 2003年11月25日
公開日(公表日): 2004年07月22日
要約:
【課題】 従来の方法および構造の上記その他の問題、欠点、短所を考慮して、ナノチューブ構造に応力を加え、ナノチューブの導電率の変化を容易に決定できる方法および構造を提供すること。【解決手段】 圧電材料の層を含む、圧電デバイスのための構造(および方法)である。圧電材料の形状の変化によってナノチューブ構造に応力の変化が発生するようにナノチューブ構造が取り付けられる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
圧電材料の層と、
前記圧電材料の形状の変化によってナノチューブ構造に応力の変化が発生するように取り付けられたナノチューブ構造とを具備する、圧電デバイス。
IPC (7件):
H01L41/09
, B82B1/00
, H01L27/10
, H01L29/06
, H01L41/18
, H01L41/187
, H01L41/22
FI (8件):
H01L41/08 C
, B82B1/00
, H01L27/10 451
, H01L29/06 601N
, H01L41/08 U
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 Z
Fターム (6件):
5F083FZ10
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA38
, 5F083JA45
引用特許:
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