特許

J-GLOBAL ID：200903064604657931

半導体装置および不揮発性半導体メモリ

発明者： 藤原 英明
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-100011
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036264
出願日： 1996年04月22日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】製造後に閾値電圧を変更可能なIGFETを提供する。【構成】単結晶シリコン基板1上にソース・ドレイン領域2が形成されている。ソース・ドレイン領域2の間に形成されたチャネル領域3上に、ゲート酸化膜4、浮遊ゲート電極5、ゲート酸化膜6、第1の制御ゲート電極7、ゲート酸化膜8、第2の制御ゲート電極9、絶縁膜10がこの順番で積層構造を成している。閾値電圧をプラス方向に上げる場合には、浮遊ゲート電極5に所定量のホットエレクトロンを注入する。それには、制御ゲート電極7の電位を制御ゲート電極9の電位よりも高くすればよい。また、閾値電圧をマイナス方向に下げる場合には、浮遊ゲート電極5に所定量のホットホールを注入する。それには、制御ゲート電極9の電位を制御ゲート電極7の電位よりも高くすればよい。

請求項（抜粋）：

エネルギーを低く制御したホットキャリアを浮遊ゲート電極へ注入する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-130473
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-133145   出願人：株式会社日立製作所