特許

J-GLOBAL ID：200903064611806675

結晶成長方法及び、これを用いた半導体レーザの製造方法

発明者： 中村 幸治
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-302686
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133599
出願日： 1998年10月23日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 DFBレーザーやDBRレーザ等のグレーティングを有する半導体レーザーにおいて、InP基板上におけるグレーティングの凹部分に、格子接合する結晶の成長方法を提供する。【解決手段】 有機金属気相結晶成長法(MOVPE法)を利用した装置を使用して、InP基板上の結晶成長を開始させる昇温中もしくは昇温してから微量の、アルシンとフォスフィンとTEGを流してInGaAsPを成長させる事により、グレーティング形状を保存し、かつグレーティングの凹部分に格子接合する結晶成長をさせることができる。

請求項（抜粋）：

微細パターンを有するInP基板上への有機金属気相結晶成長法(MOVPE法)を用いて行なう結晶成長方法において、反応容器内で、この容器内の温度を制御しながら、P原料、As原料、Ga原料を拡散させて、前記InP基板上に前記InP基板と格子整合するInGaAsP結晶を成長させることを特徴とする結晶成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/12

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  H01L 33/00 B ,  H01S 3/18 642

Fターム (32件)：

4K030AA05 ,  4K030AA08 ,  4K030AA11 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA24 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11 ,  4K030LA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA63 ,  5F045EE12 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-108592
  
• 光半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-325370   出願人：日本電気株式会社
• 半導体ヘテロ構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-317261   出願人：日本電気株式会社