特許

J-GLOBAL ID：200903082238417637

半導体ヘテロ構造

発明者： 角野 雅芳
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317261
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139347
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】無歪の半導体層あるいは歪を有する半導体層と、安定したV族組成を有するInGaAsP等の2種類以上のV族原子を含む半導体層あるいは安定したVI族組成を有するZnCdSSe層等の2種類以上のVI族原子を含む半導体層から成る、良好な結晶品質のヘテロ構造層を有する半導体発光素子の提供。【解決手段】基板と異なる格子定数を有するIII-V族化合物の第1の歪半導体層26、歪半導体層と同じV族組成を有する無歪の第2の半導体層27、一種類のIII族原子のみを含む第3の半導体層、2種類以上のV族原子を含む第4の半導体層、を順に備えた層構造を有する。

請求項（抜粋）：

基板とほぼ同じ格子定数を有する無歪のIII-V族化合物の第1の半導体層と、一種類のIII族元素(原子)を含む所定分子層厚の第2の半導体層と、複数種のV族元素を含む第3の半導体層と、を順に形成してなる層構造を有することを特徴とする半導体ヘテロ構造。

IPC (5件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/363 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 21/203 M ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/363 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 歪量子井戸レーザの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-000605   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-070580   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-282005   出願人：富士通株式会社
• 特開平3-116796