特許

J-GLOBAL ID：200903064612067442

窒化物半導体素子

発明者： 木戸口 勲 ,  石橋 明彦 ,  粂 雅博 ,  伴 雄三郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135288
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332364
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 発光効率の高いGaN系半導体レーザを提供する。【解決手段】 サファイア基板上にn-クラッド層、MQW活性層、p-クラッド層が積層されており、さらに、MQW活性層のバリア層に傾斜ドーピングを施してあり、その結果、圧縮応力によって発生するピエゾ電界効果を効果的に低減でき、発光効率の大きな窒化物半導体素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：

活性層と、該活性層を挟むクラッド層とを備えた窒化物半導体素子であって、該活性層がバリア層とウエル層からなる多重量子井戸構造であり、該バリア層には不純物が添加されており、該不純物の濃度がバリア層内で徐々に減少している窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01S 3/18 677 ,  H01S 3/18 673

Fターム (7件)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CB14 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-140828   出願人：株式会社日立製作所
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082510   出願人：三洋電機株式会社