特許

J-GLOBAL ID：200903064635841030

基板処理装置

発明者： 廣瀬 義朗
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-038323
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246315
出願日： 2001年02月15日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】基板処理装置に於いて、液体原料の供給量の制御性を向上し、成膜処理の安定を向上すると共に制御の安定化を図る。【解決手段】反応室1に原料ガスを供給する原料ガス供給ライン2が上流側に向かって、少なくとも気化器3、バルブ4、流量制御器5、液体原料源7を有する基板処理装置に於いて、原料の供給開始時には前記バルブが開いてから前記流量制御器が開き、原料の供給停止時には前記流量制御器が閉じてから前記バルブが閉じる様にした。

請求項（抜粋）：

反応室に原料ガスを供給する原料ガス供給ラインが上流側に向かって、少なくとも気化器、バルブ、流量制御器、液体原料源を有する基板処理装置に於いて、原料の供給開始時には前記バルブが開いてから前記流量制御器が開き、原料の供給停止時には前記流量制御器が閉じてから前記バルブが閉じる様にしたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R

Fターム (19件)：

4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA10 ,  4K030BA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030EA01 ,  4K030KA41 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  5F045AB40 ,  5F045BB08 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 化学気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-266247   出願人：三菱電機株式会社
• 化学気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-272822   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-216823
  
• 特開平2-216823