半導体装置の製造方法、研磨装置および研磨方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-253605
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077117
出願日： 1999年09月07日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】多層配線構造を有する半導体装置の配線を構成するための金属膜の研磨による平坦化工程において、ディッシング、エロージョンの発生を抑制可能な、研磨方法、研磨装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】金属膜の表面に当該金属の電解反応を妨げる作用を発揮する不動態膜を形成する工程(PR4)と、配線用溝の埋め込みによって生じた金属膜の表面に存在する凸部上の不動膜を機械研磨によって選択的に除去し、金属膜の凸部を表面に露出させる工程(PR5)と、露出した金属膜の凸部を電解研磨によって除去し、配線用溝の埋め込みによって生じた金属膜の表面の凹凸を平坦化する工程(PR6)と、表面が平坦化された金属膜の絶縁膜上に存在する金属膜を電解研磨と機械研磨とを複合させた電解複合研磨よって除去し、前記配線を形成する工程(PR7)を有する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜に配線を形成するための配線用溝を形成する工程と、前記配線用溝を埋め込むように、前記絶縁膜上に金属膜を堆積させる工程と、前記絶縁膜上に堆積した金属膜の表面に当該金属膜の電解反応を妨げる作用を発揮する不動態膜を形成する工程と、前記金属膜に形成された不動態膜のうち、前記配線用溝の埋め込みによって生じた前記金属膜の表面に存在する凸部上の不動膜を機械研磨によって選択的に除去し、当該金属の凸部を表面に露出させる工程と、前記露出した金属膜の凸部を電解研磨によって除去し、前記配線用溝の埋め込みによって生じた前記金属膜の表面の凹凸を平坦化する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/304 622 , H01L 21/3063 , H01L 21/768 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/304 622 X , H01L 21/306 L , H01L 21/90 C , H01L 29/78 301 N , H01L 29/78 619 A

Fターム (46件)：

5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033MM02 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ46 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033RR04 , 5F033SS04 , 5F033SS13 , 5F033XX01 , 5F040DC01 , 5F040EJ03 , 5F040EJ08 , 5F040FC10 , 5F043DD14 , 5F043DD16 , 5F043EE08 , 5F043EE14 , 5F043EE35 , 5F043EE40 , 5F043FF07 , 5F043GG10 , 5F110AA18 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110QQ19 , 5F110QQ30

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の作製方法および半導体装置の作製装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-042149 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
ワークピースを平坦化する方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-064938 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平2-095574

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