ショットキーダイオード

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157488
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349304
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】低損失かつリカバリー電流が小さなショットキーダイオードを実現する。【解決手段】ショットキー金属層6と比較的高濃度のp層4との間に比較的低濃度のn型バッファー層5もしくは比較的低濃度のp型バッファー層10もしくは絶縁膜9を介在させること、またはこれらの介在を組み合わせることによってショットキー金属層6と比較的高濃度のp層4との間のリーク電流経路を断絶する。

請求項（抜粋）：

一対の主表面を有する半導体基体、該半導体基体は第1導電型の低抵抗基板および該基板と電気的に接続され前記主表面にほぼ垂直な方向に長く延びる第1導電型の第1ドリフト領域と該第1ドリフト領域に隣接する第2導電型の第2ドリフト領域がそれぞれ複数個交互に並行配列されたドリフト領域を有し、該半導体基体の一方の主表面にはショットキー金属層を含む第1電極、他方の主表面には前記低抵抗基板に低抵抗にオーミック接続される第2電極が具備され、前記第1と第2電極間に電流通電を阻止する向きの電圧が印加されたときには前記第1ドリフト領域と前記第2ドリフト領域に正および負の空間電荷領域が交互に並ぶ形となり、該空間電荷領域で電極間に印加された電圧の半分以上を支えるショットキーダイオードにおいて、前記ショットキー金属層と前記第1ならびに第2ドリフト領域とが隣接する部分に第1導電型のバッファー領域を介在したことを特徴とするショットキーダイオード。

Fターム (8件)：

4M104AA01 , 4M104CC03 , 4M104DD28 , 4M104FF06 , 4M104FF34 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104HH20

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