特許
J-GLOBAL ID：200903064663269880

半導体圧力センサの製造方法

発明者：
横山 賢一

横山 賢一 について

, 
川崎 栄嗣

川崎 栄嗣 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167825
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352078
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 圧力検出用のダイヤフラムが形成されたSOI基板とガラス基板とを接合したウェハをダイシングカットする半導体圧力センサの製造方法において、ダイシングブレードの長寿命化、及び、チップの接合界面におけるエッジ部の欠けの抑制を図る。【解決手段】 接合面が(100)面であるSOI基板10における当該接合面のうちダイヤフラム形成部位及びダイシングライン対応部位に、異方性エッチングを施すことによりダイヤフラム1と溝部7とを形成する工程、両基板10、20を接合し、接合界面のうちダイシングライン対応部位に空洞部8を形成する工程、しかる後、SOI基板10及びガラス基板20を、それぞれの表面側からダイシングブレードが空洞部8内で止まるようにダイシングカットする工程を順次実行する。
請求項（抜粋）：
圧力検出用のダイヤフラム(1)が形成された半導体基板(10)とこの半導体基板とは異なる材料よりなる異種基板(20)とを接合したウェハを、チップ単位にダイシングカットするようにした半導体圧力センサの製造方法において、前記半導体基板として、前記異種基板との接合面がシリコン単結晶の(100)面であるものを用意し、この半導体基板の前記接合面のうち前記ダイヤフラムを形成すべき部位及びダイシングラインに対応した部位に、異方性エッチングを施すことにより、前記ダイヤフラムと前記接合面からV形状に凹んだ溝部(7)とを形成する工程と、前記半導体基板と前記異種基板とを接合することにより、これら両基板の接合界面のうちダイシングラインに対応した部位に、前記溝部と前記異種基板とで囲まれた空洞部(8)を形成する工程と、しかる後、前記半導体基板をその表面側から前記空洞部に向かってダイシングブレード(14)が前記空洞部内で止まるようにダイシングカットする工程と、前記異種基板をその表面側から前記空洞部に向かってダイシングブレード(15)が前記空洞部内で止まるようにダイシングカットする工程とを備えることを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101
FI (2件)：
H01L 29/84 B ,  G01L 9/04 101
Fターム (21件)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF43 ,  2F055FF49 ,  2F055GG01 ,  2F055GG13 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA05 ,  4M112CA12 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA05 ,  4M112DA12 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA13
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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