特許
J-GLOBAL ID：200903064673842252

有機トランジスタおよび有機トランジスタの製造方法

発明者：
高橋 亮也

高橋 亮也 について

, 
栗田 雅章

栗田 雅章 について


出願人/特許権者：
ブラザー工業株式会社

ブラザー工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人しんめいセンチュリー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-247947
公開番号（公開出願番号）：特開2008-071867
出願日： 2006年09月13日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：
【課題】高いトランジスタ性能が得られると共に、製造が容易な有機トランジスタおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の有機トランジスタ10によれば、ソース電極上面18aおよびドレイン電極上面20aが、有機単分子膜24で被覆されているので、有機単分子膜24で被覆されてない場合に比較して、ソース電極18上およびドレイン電極20上においても、結晶粒22aが大きく成長する。よって、有機半導体層22を電流が効率良く流れ、高いトランジスタ性能が得られる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたゲート電極と、そのゲート電極の上に形成されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、そのソース電極およびドレイン電極の少なくとも一部を覆う有機半導体層とを備えた有機トランジスタであって、 前記ソース電極上面と前記有機半導体層との間、および前記ドレイン電極上面と前記有機半導体層との間には、有機単分子膜が介在すると共に、ソース電極側面と有機半導体層との間、およびドレイン電極側面と有機半導体層との間には、有機単分子膜が介在していないことを特徴とする有機トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301B
Fターム (33件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104DD71 ,  4M104EE02 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110QQ01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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