特許

J-GLOBAL ID：200903000430173842

有機薄膜トランジスタ、その製造方法、及びその有機薄膜トランジスタを含む平板表示装置

発明者： 安 澤 ,  徐 ▲ミン▼徹 ,  具 在本 ,  朴 鎭成
出願人/特許権者： 三星エスディアイ株式会社
代理人 (3件)： 渡邊 隆 ,  志賀 正武 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-337634
公開番号（公開出願番号）：特開2006-148131
出願日： 2005年11月22日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】本発明は、ソース電極及びドレイン電極と有機半導体層との間のオーミックコンタクトを可能にしながら、優れた接触抵抗特性を有する、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。また、前記有機薄膜トランジスタを含む平板表示装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施例による有機薄膜トランジスタは、基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を含み、ソース電極及びドレイン電極と有機半導体層との間に伝導性高分子物質を含むキャリア中継膜が形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を含む有機薄膜トランジスタにおいて、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記有機半導体層との間に形成されて、伝導性高分子物質を含むキャリア中継膜を含む、有機薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/28 100A ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M

Fターム (36件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD21 ,  4M104DD51 ,  4M104DD61 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110HK01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN71

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 有機半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-265170   出願人：パイオニア株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-122312   出願人：シャープ株式会社
• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-192841   出願人：大阪瓦斯株式会社
• 特開平4-069971
  
• 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-045573   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社