特許
J-GLOBAL ID：200903064682461830
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-426735
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191028
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 2波長のレーザ光を出射する半導体レーザ装置の発光スポットを1つにする。【解決手段】 半導体レーザ装置は、同一のn-GaAs半導体基板100上に第1及び第2のレーザ素子170、180と導波構造190を備える。導波ストライプ130は、基端が第1のストライプ115に対して位置合わせされた第1の部分130a、基端が第2のストライプ125に対して位置合わせされた第2の部分130b、及び基端に第1及び第2の部分130a、130bの先端が合流し、かつ第1及び第2のストライプ構造115、125と同方向に延びる第3の部分130cとを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられ、第1のレーザ光を発振させるための第1の積層構造と第1のストライプ構造とを備える第1のレーザ素子と、
前記半導体基板上に設けられ、前記第1のレーザ光と波長の異なる第2のレーザ光を発振させるための第2の積層構造と第2のストライプ構造とを備え、かつ前記第2のストライプ構造は前記第1のストライプ構造に並列に配置されている第2のレーザ素子と、
前記第1及び第2のレーザ素子に対して前記第1及び第2のレーザ光の出射方向に配置され、前記第1のレーザ素子から出射される第1のレーザ光と前記第2のレーザ素子から出射される第2のレーザ光とを単一の発光スポットに導く導波構造と
を備える半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073AB01
, 5F073AB06
, 5F073BA04
, 5F073DA22
, 5F073DA31
, 5F073EA04
