特許
J-GLOBAL ID：200903064690106225
複合型薄膜磁気ヘッド
出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社
ティーディーケイ株式会社 について
代理人 (1件)： 阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-050788
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326105
出願日： 1997年03月05日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】明瞭な記録状態を実現しつつ、磁気シールド機能を十分に発揮し得る複合型磁気ヘッドを提供する。【解決手段】MR型磁気変換素子200及び誘導型磁気変換素子300を有する。MR型磁気変換素子200は、磁気抵抗効果膜210の両側に、第1の磁気シールド膜400と、第2の磁気シールド膜311とを有する。誘導型磁気変換素子300の第1の磁性膜312と、第2の磁気シールド膜311は、非磁性膜313によって分離されている。非磁性膜313は、第2の磁気シールド膜311及び第1の磁性膜312の間に磁気的結合を生じさせる。第1の磁性膜312は、第1のポール部P1の幅W1が第2の磁気シールド膜311の幅W2よりも狭く、飽和磁束密度が第2の磁気シールド膜311の飽和磁束密度よりも高い。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果型磁気変換素子と、誘導型磁気変換素子とを含む複合型薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果型磁気変換素子は、磁気抵抗効果膜と、第1の磁気シールド膜と、第2の磁気シールド膜とを含み、前記第1の磁気シールド膜及び前記第2の磁気シールド膜が前記磁気抵抗効果膜の両側に備えられており、前記誘導型磁気変換素子は、第1の磁性膜、絶縁膜によって支持されたコイル膜、第2の磁性膜及びギャップ膜による薄膜磁気回路を有し、前記第1の磁性膜が前記第2の磁気シールド膜に隣接するようにして、前記磁気抵抗効果型磁気変換素子と組み合わされており、前記第1の磁性膜及び前記第2の磁気シールド膜は、非磁性膜によって分離されており、前記非磁性膜は、膜厚が前記第2の磁気シールド膜及び前記第1の磁性膜の間に磁気的結合を生じさせる値に選定されており、前記第1の磁性膜は、第1のポール部を有し、前記第1のポール部の幅が前記第2の磁気シールド膜の幅よりも狭くなっており、更に、前記第1の磁性膜は、飽和磁束密度が前記第2の磁気シールド膜の飽和磁束密度よりも高い複合型薄膜磁気ヘッド。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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