特許

J-GLOBAL ID：200903064699253573

回路内蔵受光素子

発明者： 永野 弘樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-190435
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041488
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 回路プロセスを変更することなく、平坦な周波数特性を実現し、複数の受光素子間のクロストークを低減する。【解決手段】 P+ 型埋込拡散層3をアノードとしN- 型エピタキシャル層4をカソードとするフォトダイオード9を形成する。拡散層3をアノードとしN+ 型埋込拡散層2aをカソードとする、光信号の検出に寄与しないダミーのフォトダイオード9gを形成する。拡散層2aをカソードとしP- 型基板1をアノードとするダミーのフォトダイオード9hを形成する。フォトダイオード9の空乏層よりも深いところで発生した拡散電流はダイオード9に到達する前に、ダミーのフォトダイオード9g、9hに到達する。よって、ダイオード9に接続された電流-電圧変換増幅器の入力に拡散電流が流れ込むことがなくなる。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の基板の上に形成された第2の導電型の埋込拡散層と、第2の導電型の埋込拡散層の上に形成された第1の導電型の埋込拡散層と、第1の導電型の埋込拡散層の上に形成された第2の導電型のエピタキシャル層と、第2の導電型のエピタキシャル層を貫いて第1の導電型の埋込拡散層に達する第1の導電型の拡散層とを有し、この第1の導電型の拡散層及び第1の導電型の埋込拡散層を第1の電極とし、前記第2の導電型のエピタキシャル層を第2の電極とする受光素子を備えたことを特徴とする回路内蔵受光素子。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 Z ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-006056
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-160922   出願人：ソニー株式会社