特許
J-GLOBAL ID：200903064710250689

薄膜評価方法および薄膜評価装置

発明者：
鳥海 実

鳥海 実 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-169977
公開番号（公開出願番号）：特開2001-349816
出願日： 2000年06月07日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 現像時のレジストの溶解速度を高速測定して、レジストの現像特性を評価する。【解決手段】 レジスト薄膜3を形成した複数個の電極2を有する水晶振動子1を共振回路4に接続し、各電極部分の共振周波数を周波数計6で測定し、計算機7に取り込む。前記水晶振動子を現像液槽5中の現像液に浸し、各電極部分のレジストの現像に対応した共振周波数の変化から各電極部位におけるレジストの現像速度を測定し、レジストの現像特性を評価する。
請求項（抜粋）：
水晶振動子の表面電極の上に被測定薄膜を形成して溶媒に浸漬し、前記薄膜の重量変化を測定するマイクロバランス法において、前記水晶振動子の表面電極を互いに分離して複数個設け、それぞれの表面電極の上の前記被測定薄膜の重量変化を測定することを特徴とする薄膜評価方法。
IPC (3件)：
G01N 5/02 ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
G01N 5/02 A ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/306 D
Fターム (8件)：
2H096AA25 ,  2H096LA17 ,  2H096LA19 ,  5F043AA40 ,  5F043BB30 ,  5F043CC20 ,  5F043DD30 ,  5F043EE40
引用特許：
出願人引用 (6件)
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