特許

J-GLOBAL ID：200903064712072869

薄膜トランジスタ及びその製造方法と加熱装置並びに表示装置

発明者： 国井 正文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-353216
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168344
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタの特性ばらつきが生じることなく又製造装置のトラブルを生ずることなく、半導体薄膜に注入された不純物を活性化する技術を提供する。【解決手段】 半導体薄膜と、その一面に接して形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して半導体薄膜に重ねられたゲート電極とを含む積層構成を有し、絶縁基板0上に配される薄膜トランジスタを製造するために、半導体薄膜に不純物を選択的に注入して薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する注入工程と、注入された不純物を加熱して活性化する加熱工程とを行なう。加熱工程は、絶縁基板0の取入口76から取出口77に向かう進行方向に沿って配された熱源71乃至74の加熱温度を低温から高温を経て低温に変化させる様設定した状態で、絶縁基板0を所定速度で進行方向に沿って熱源71乃至74による加熱を受けながら移送する。

請求項（抜粋）：

半導体薄膜と、その一面に接して形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜に重ねられたゲート電極とを含む積層構成を有し、絶縁基板上に形成される薄膜トランジスタの製造方法であって、該半導体薄膜に不純物を選択的に注入して薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する注入工程と、該注入された不純物を加熱して活性化する加熱工程とを含み、前記加熱工程は、絶縁基板の取入口から取出口に向かう進行方向に沿って配された熱源の加熱温度を低温から高温を経て低温に変化させるよう設定した状態で、絶縁基板を所定速度で進行方向に沿って熱源による加熱を受けながら移送することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/265 602

FI (4件)：

G09F 9/30 338 ,  H01L 21/265 602 B ,  H01L 29/78 627 F ,  G02F 1/136 500

Fターム (83件)：

2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JA47 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB58 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA22 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA22 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092NA30 ,  5C094AA14 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA48 ,  5C094AA55 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5C094JA20 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ11 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-054404   出願人：ソニー株式会社