特許
J-GLOBAL ID：200903069737386983

薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
国井 正文

国井 正文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-054404
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233790
出願日： 1998年02月18日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタの閾電圧制御を容易化する。【解決手段】 薄膜トランジスタは多結晶半導体薄膜5と、その一面側に接して形成されたゲート酸化膜3と、このゲート酸化膜3を介して多結晶半導体薄膜5に重ねられたゲート電極1とを含む積層構造を有する。この薄膜トランジスタを製造する際、半導体薄膜5に不純物を選択的に注入して薄膜トランジスタのソース領域S及びドレイン領域Dを形成する注入工程を行なう。次に急速加熱工程を行ない、注入された不純物を急速加熱法により活性化するとともに急速化熱法の処理条件を調整して薄膜トランジスタの閾電圧を制御する。この急速加熱工程は、絶縁基盤0を徐熱した後紫外線を照射して半導体薄膜5を吸熱し次いで徐冷する。
請求項（抜粋）：
半導体薄膜と、その一面側に接して形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して該半導体薄膜に重ねられたゲート電極とを含む積層構成を有し絶縁基板上に形成される薄膜トランジスタの製造方法であって、該半導体薄膜に不純物を選択的に注入して薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する注入工程と、該注入された不純物を急速加熱法により活性化するとともに該急速加熱法の処理条件を調整して薄膜トランジスタの閾電圧を制御する急速加熱工程とを行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (2件)：
H01L 29/78 627 F ,  H01L 29/78 616 S
引用特許：
審査官引用 (4件)
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