特許

J-GLOBAL ID：200903064715904040

放電プラズマ処理装置

発明者： 下西 弘二
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-298024
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100646
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 高速処理及び大面積処理に対応可能でかつ、基材にダメージを与えず、異常放電を抑制し、基材上に形成される薄膜等に影響を与えない放電プラズマ処理装置の提供。【解決手段】 電圧印加電極と接地電極からなる対向電極を有し、前記対向電極の少なくとも一方の電極対向面が固体誘電体で被覆され、前記対向電極間に電界を印加することにより前記対向電極間に発生するグロー放電プラズマを、プラズマ発生空間外に配置された基材に導いて処理を行う処理装置であって、前記電圧印加電極と基材との間に金属板を設置することを特徴とする放電プラズマ処理装置。

請求項（抜粋）：

電圧印加電極と接地電極からなる対向電極を有し、前記対向電極の少なくとも一方の電極対向面が固体誘電体で被覆され、前記対向電極間に電界を印加することにより前記対向電極間に発生するグロー放電プラズマを、プラズマ発生空間外に配置された基材に導いて処理を行う処理装置であって、前記電圧印加電極と基材との間に金属板を設置することを特徴とする放電プラズマ処理装置。

IPC (8件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/505 ,  C23C 16/515 ,  C23C 16/517 ,  C23C 30/00 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/24

FI (8件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/505 ,  C23C 16/515 ,  C23C 16/517 ,  C23C 30/00 C ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/24

Fターム (71件)：

4G075AA24 ,  4G075AA61 ,  4G075AA62 ,  4G075BD14 ,  4G075CA16 ,  4G075CA47 ,  4G075CA57 ,  4G075CA61 ,  4G075FB02 ,  4G075FB12 ,  4K030AA02 ,  4K030AA05 ,  4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BA45 ,  4K030BA46 ,  4K030CA02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA07 ,  4K030DA02 ,  4K030DA03 ,  4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA14 ,  4K030KA17 ,  4K030KA30 ,  4K030KA32 ,  4K044AA02 ,  4K044AA03 ,  4K044AA06 ,  4K044AB02 ,  4K044BA12 ,  4K044BA13 ,  4K044BA14 ,  4K044BA21 ,  4K044BB01 ,  4K044BC14 ,  4K057DA01 ,  4K057DA02 ,  4K057DA19 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DD07 ,  4K057DG13 ,  4K057DK03 ,  4K057DM06 ,  4K057DM18 ,  4K057DM19 ,  4K057DM20 ,  4K057DM28 ,  4K057DN01 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F045EH19

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 局所処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-046393   出願人：セイコーエプソン株式会社