特許
J-GLOBAL ID：200903064753305495

半導体集積回路装置及び製造方法

発明者：
茶谷 雅夫

茶谷 雅夫 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-073309
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267502
出願日： 2000年03月16日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 外部接続端子と内部素子との接続変更を、配線用フォトマスクを切り替えることなく、実行できるようにして、コスト、工数を削減する。【解決手段】 接続を切り替えるべき抵抗素子2,3,4とAl配線9を介して接続されたAlパッド1を一定のピッチで配列する。それ以外のパッドは、配列されたAlパッド1の全体とほぼ同じ形状の拡大Alパッド10として大きく形成する(a)。カバー絶縁膜を堆積し、これにパッド開口7を形成する。その際のフォトリソグラフィ工程のフォトマスクをセットする工程において、抵抗素子3を外部回路に接続する場合にはマスクを中央に合わせて露光する(b)。抵抗素子4を選択する場合にはフォトマスクを右方向にシフトし、また抵抗素子2を選択する場合にはフォトマスクを左方向にシフトして露光を行って、接続変更を実現する。
請求項（抜粋）：
互いに近接して配置された一群を構成する複数の第1種の金属パッドと、前記一群を構成する複数の第1種の金属パッドの全体とほぼ等しい面積および形状を有する第2種の金属パッドと、前記第1種および第2種の金属パッド上に開口を有するカバー絶縁膜と、を備える半導体集積回路装置であって、一群の第1種の金属パッドに対しては前記カバー絶縁膜には一つの開口のみが開設されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 27/04 E ,  H01L 21/88 T
Fターム (17件)：
5F033HH08 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033UU01 ,  5F033VV07 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F038BE05 ,  5F038BE07 ,  5F038CA05 ,  5F038CA07 ,  5F038CA10 ,  5F038DT15 ,  5F038DT16 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ18 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (1件)
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-199946   出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社

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