特許

J-GLOBAL ID：200903064764727138

有機基板上に薄膜電子回路を具える電子デバイスの製造

発明者： ヤング ナイジェル デヴィッド
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-516432
公開番号（公開出願番号）：特表平10-512104
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】本発明の製造方法によって製造されるフラットパネルディスプレイ、あるいはその他の大面積デバイスは、高分子基板(10)の表面(15)上の半導体薄膜(1)から形成された、半導体の島(1a、1b)からなる薄膜電子回路を具える。本発明の製造方法には、結晶成長又はドーピングされたイオンのアニーリング等のために、半導体薄膜(1)に対してエネルギービーム処理を施す工程が含まれる。エネルギービーム処理を実施するにあたっては、高分子基板表面(15)上の第1の絶縁層(11)上にマスキング層(13)を積層することによって、高分子基板(10)をエネルギービーム(20、30)の照射から遮蔽する。また、本発明の製造方法には、高分子基板(10)と、その上に形成された半導体薄膜(1)、並びに第1及び第2の絶縁層(11、12)、さらにはマスキング層(13)との密着性を改善するために、以下の工程が含まれる。すなわち、(a)高分子基板(10)を、長時間加熱により前収縮させる工程と、(b)第1の絶縁層(11)を、工程(a)での長時間加熱温度よりも低い温度で、前収縮させた高分子基板(10)上に蒸着し、続いて、マスキング層(13)を、高分子基板の表面(15)全体に亙って連続な層となるように第1の絶縁層(11)上に蒸着する工程と、(c)マスキング層(13)が高分子基板の表面(15)上で連続層を形成している状態で、半導体薄膜(1)にエネルギービーム処理を施す工程(第3図、第4図、第8図及び第9図参照)と、(d)その後、半導体の島(1a、1b)が形成されている部分を除いて、高分子基板(10)の表面(15)から、第1及び第2の絶縁層(11、12)並びにマスキング層(13)を除去する工程と、を含むものである。第1の絶縁層(11)は蒸着温度が低いために、良好な電気的絶縁特性を得ることはできない。一方、半導体薄膜(1)が積層される第2の絶縁層(12)は、マスキング層(13)上に高い蒸着温度で形成されるため、半導体の島(1a、1b)に対して優れた電気的絶縁特性を示す。

請求項（抜粋）：

半導体薄膜を高分子基板表面上でパターニングすることにより、半導体の島を形成し、半導体薄膜に対してエネルギービーム処理を施す一方、高分子基板表面上の第1の絶縁層上にマスキング層を積層することにより、高分子基板をエネルギービームの照射に対して遮蔽するようにした、半導体の島から形成された薄膜電子回路を具えた電子デバイスの製造方法において、 (a)前記高分子基板に使用する高分子材料の最高使用温度より低い温度で長時間加熱して、前記高分子基板を前収縮させる工程と、 (b)前記第1の絶縁層を、過程(a)での長時間加熱温度よりも低い温度で、前記前収縮の高分子基板上に蒸着し、続いて、前記マスキング層を、前記高分子基板の表面全体に対して連続な層となるように前記第1の絶縁層上に蒸着する工程と、 (c)前記マスキング層が前記高分子基板の前記表面の全体に対して、連続層として形成された状態で、前記半導体薄膜にエネルギービーム処理を施す工程と、さらに、 (d)前記半導体の島が存在している部分を除いて、前記高分子基板の表面から、前記マスキング層及び前記第1の絶縁層を除去する工程と、 を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-072670
  
• レーザ切除波状模様処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-325274   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開平3-041721