特許

J-GLOBAL ID：200903064766882173

加熱用マイクロ波吸収体及びそのマイクロ波吸収体を利用したマイクロ波加熱装置

発明者： 国枝 義彦 ,  下古谷 博司 ,  伊藤 保之 ,  松尾 裕之 ,  大嶋 清 ,  岸 幸男
出願人/特許権者： 株式会社日本セラテック
代理人 (1件)： 金久保 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-088563
公開番号（公開出願番号）：特開2005-276635
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】マイクロ波加熱装置内に被加熱体とともにマイクロ波吸収体を配置し、マイクロ波吸収体を加熱し、その輻射熱又は伝熱により被加熱体を加熱することにより、マイクロ波加熱方法の適用対象を拡大する。【解決手段】シリコンまたはシリコンを有する加熱用マイクロ波吸収体とする。5〜15mol%Al2O3の範囲では、約800°Cの極めて高い到達温度となり、高温用のマイクロ波加熱装置に適用できる。例えばPZT系セラミックスを焼成する焼成装置に適用できる。15〜35mol%Al2O3の範囲では、中高温用のマイクロ波加熱装置として適用できる。35〜80mol%Al2O3の範囲では、精密に到達温度を制御することができる中温用のマイクロ波加熱装置に適用できる。80〜90mol%Al2O3の範囲では、低温用のマイクロ波加熱装置として適用できる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

シリコンまたはシリコンを含有する加熱用マイクロ波吸収体。

IPC (4件)：

H05B6/74 ,  C04B35/64 ,  F27D11/12 ,  H05B6/80

FI (5件)：

H05B6/74 A ,  F27D11/12 ,  H05B6/80 Z ,  C04B35/64 F ,  C04B35/10 Z

Fターム (17件)：

3K090AA01 ,  3K090AA02 ,  3K090AB13 ,  3K090BB01 ,  3K090EB06 ,  3K090PA00 ,  4G030AA36 ,  4G030AA64 ,  4G030BA21 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031BA10 ,  4K063AA07 ,  4K063BA04 ,  4K063CA03 ,  4K063FA82

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-208401号公報
  
• マイクロ波加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349748   出願人：株式会社豊田中央研究所