特許
J-GLOBAL ID:200903064774176857

半導体試験装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-302848
公開番号(公開出願番号):特開2002-107406
出願日: 2000年09月29日
公開日(公表日): 2002年04月10日
要約:
【要約】【課題】測定対象のDUTの多様性に対応して、DC試験におけるDUT出力端から出力される出力電圧を、より短時間に測定可能とし、また、DUT出力端から出力される高い出力電圧を測定可能とする半導体試験装置を提供する。【解決手段】DUT出力端からの直流の電圧信号を受けて所定に電流バッファして出力し、ステーション・ケーブルCBを駆動してDCTUの受端へ供給するバッファ手段を備えて、DCTUの受端におけるセットリング時間を短縮可能とする、半導体試験装置。
請求項(抜粋):
被試験デバイス(DUT)の直流特性を測定する電圧測定装置DCTUを半導体試験装置の本体側に備え、該DCTUはDUT出力端の直流電圧を受けて測定する機能を少なくとも備え、該DCTUを少なくとも1系統備える半導体試験装置において、該DUT出力端からの直流の電圧信号を受けて所定に電流バッファして出力し、該ステーション・ケーブルCBを駆動して該DCTUの受端へ供給するバッファ手段を備えて、該DCTUの受端におけるセットリング時間を短縮可能とする、ことを特徴とする半導体試験装置。
IPC (2件):
G01R 31/26 ,  G01R 31/28
FI (2件):
G01R 31/26 G ,  G01R 31/28 H
Fターム (14件):
2G003AA07 ,  2G003AB01 ,  2G003AE01 ,  2G003AF01 ,  2G003AG03 ,  2G003AH04 ,  2G032AD01 ,  2G032AE07 ,  2G032AE08 ,  2G032AE10 ,  2G032AE11 ,  2G032AF00 ,  2G032AF10 ,  2G032AK19
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • IC試験装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-142905   出願人:株式会社アドバンテスト

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