特許
J-GLOBAL ID：200903064787555253
電界放出型冷陰極およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332043
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111132
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：
【要約】【目的】 良好な電界放出の均一性を呈し、また低電圧駆動も可能で、高い電界放出効率を得られるばかりでなく、高集積化が容易な電界放出型冷陰極、および生産性の優れた電界放出型冷陰極の製造方法の提供を目的とする。【構成】 支持基板6と、前記支持基板6面に形設されたエミッタ材料製の先端を尖らせた凸部7と、前記エミッタ材料製凸部7の先端部を露出させてエミッタ材料製凸部7表面を被覆する絶縁体層8と、高濃度の不純物拡散層9とを具備して成ることを特徴とする電界放出型冷陰極およびその製造方法で、絶縁体層8の膜厚により、エミッタ材料製凸部7の先端部と高濃度の不純物拡散層9との間のギャップを正確に制御して形成することができ、その結果、高い電界放出効率を得ることができる。
請求項（抜粋）：
支持基板と、前記支持基板面に先端を尖らせて形設されたエミッタ材料製凸部と、前記エミッタ材料製凸部の先端部を露出させてエミッタ材料製凸部表面を被覆する絶縁体層と、前記エミッタ材料製凸部の先端部を露出させ絶縁体層を被覆する高濃度不純物拡散層とを具備することを特徴とする電界放出型冷陰極。
IPC (2件)：
引用特許：
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