銅薄膜製造方法、及びその方法に用いるスパッタ装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-248417
公開番号（公開出願番号）：特開2001-073131
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月21日
要約：

【要約】【課題】比抵抗の小さい銅薄膜を提供する。【解決手段】スパッタ装置1内に基板15を配置し、銅ターゲット21をスパッタする際、ガス添加用配管31から微少量の大気を導入し、スパッタガス中に添加する。シリコン基板15表面に形成された銅薄膜を大気中に放置しておくと、比抵抗が低下し、バルク銅の値に近づく。導入する大気の分圧は、6.65×10-4Pa以下の圧力にすると効果的である。分圧値を小さくするためには、間欠的に導入するとよい。

請求項（抜粋）：

真空雰囲気中にスパッタガスを導入し、銅または銅を主成分とするターゲットをスパッタし、前記真空雰囲気中に置かれた成膜対象物表面に銅薄膜または銅を主成分とする薄膜を形成する銅薄膜製造方法であって、前記ターゲットをスパッタする際に、構造中に窒素原子を有するガスと、酸素原子を有するガスと、又は窒素原子と酸素原子とを有するガスとのうち、いずれか一種以上のガスから成る添加ガスを前記真空雰囲気中に導入することを特徴とする銅薄膜製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/34 M , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

Fターム (20件)：

4K029AA06 , 4K029BA08 , 4K029CA05 , 4K029DA02 , 4K029DA04 , 4K029DA12 , 4K029DC03 , 4K029DC39 , 4K029EA04 , 4K029JA01 , 4M104BB04 , 4M104DD42 , 4M104HH16 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD28 , 5F103HH03 , 5F103NN04 , 5F103NN06 , 5F103RR05

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭50-074534
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-238262 出願人：住友金属工業株式会社
特開平1-232746

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審査官引用 (4件)

特開昭50-074534
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-238262 出願人：住友金属工業株式会社
特開平1-232746

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