特許
J-GLOBAL ID：200903064852282030
薄膜太陽電池
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-332896
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172194
出願日： 1995年12月21日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】基板裏面に形成され、基板表面上の電極層に接続される金属電極層が、露出していて、その上を被覆する封止樹脂層との接着性が低いため、その間への水分の侵入により金属腐食の起こる問題を解決する。【解決手段】基板1裏面上の接続用金属電極層7を酸化物層9で覆う。この酸化物層は金属に密着し、また封止樹脂との接着性が良好で界面の吸水反応が起きない。この酸化物に導電性酸化物91を用いれば、接続孔3を通じての透明第二電極層6との電気的接続にも利用でき、この接続孔内に金属の存在を排除でき、金属腐食等の問題がなくなる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の一面上に光電変換層である半導体層をはさんで基板側に第一電極層、反対側に透明な第二電極層が設けられ、基板の他面上に金属よりなる第三電極層が設けられ、この第三電極層が第二電極層と、基板、第一電極層、半導体層を貫通する接続孔を通じ、第一電極層と実質的に絶縁された導体により接続され、少なくとも基板他面側を樹脂層が被覆する薄膜太陽電池において、第三電極層が樹脂層側で酸化物層により覆われたことを特徴とする薄膜太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 F
