特許

J-GLOBAL ID：200903064861781244

エッチング方法及び該エッチング方法を用いた半導体装置の製造方法

発明者： 山岸 信久
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-181580
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036087
出願日： 1995年07月18日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 被エッチング層の下地のエッチングストッパー層である、Si3 N4等のSiN(シリコンナイトライド)膜等の肩の膜減りが生じず、よってこれに基づく不良の発生を防止したエッチング方法及び該エッチング方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ゲート電極3を有する半導体基板1等の、段差を有する下地上にエッチングストッパー層5を設け、該ストッパー層5上に被エッチング層6を形成した構造のエッチング方法において、ストッパー層3の肩部に、例えば高融点金属やC等の斜めイオン注入等の難エッチング化処理を施して、エッチングを行う。

請求項（抜粋）：

段差を有する下地上にエッチングストッパー層を設け、該エッチングストッパー層上に被エッチング層を形成した構造をエッチングするエッチング方法において、上記エッチングストッパー層の肩部に難エッチング化処理を施して、上記被エッチング層のエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 U

引用特許：

審査官引用 (2件)

• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-137466   出願人：三菱電機株式会社
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-278921   出願人：株式会社東芝