特許

J-GLOBAL ID：200903064865664676

粗面化された半導体表面を有する半導体デバイス

発明者： フイツシヤー、ヘルムート ,  ラング、ギゼーラ ,  ゼートルマイヤー、ラインハルト ,  ニルシユル、エルンスト
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-525284
公開番号（公開出願番号）：特表平11-500581
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】半導体デバイスは少なくともその接触金属化部が備えられていない表面部分を粗面化されている半導体基体を有する。この接触金属化部は例えばアルミニウムのような卑金属材料から成る。半導体表面の粗面化には接触金属化部の表面を腐食しない処理方法が用いられる。

請求項（抜粋）：

半導体基体が少なくともボンディング可能の接触金属化部(5)を有し、少なくとも半導体基体の表面の接触金属化部(5)で覆われていない部分に粗面(6)が施され、また接触金属化部(5)が卑金属材料を有する半導体デバイス。

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 改良された放射能力を有する放射線放出ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-050033   出願人：テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
• 特開昭57-097686
  
• 特開昭59-175776
  
• 特開昭49-090494
  

審査官引用 (4件)

• 改良された放射能力を有する放射線放出ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-050033   出願人：テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
• 特開昭57-097686
  
• 特開昭59-175776
  
• 特開昭49-090494