特許
J-GLOBAL ID：200903064886573794
半導体ウエハ熱処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
豊田 武久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-209909
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045602
出願日： 1993年08月02日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 水素を使用して半導体ウエハを熱処理する装置として、クリーンルーム外部の水素ボンベや水素カードルから長い配管をもって水素を導くことを不要とし、これによって水素漏洩の危険を少なくし、併せて電源遮断時に直ちに水素発生を停止させ得るようにする。【構成】 熱処理装置自体として、水を電気分解して水素ガスと酸素ガスを発生させる水電解装置を有しており、その水電解装置により得られた水素ガスを使用して半導体ウエハを熱処理するように構成した。
請求項（抜粋）：
半導体装置製造工程中において水素ガスを直接もしくは間接的に用いて半導体ウエハを熱処理するための装置において、水を電気分解して水素ガスおよび酸素ガスを発生させる水電解装置を有し、その水電解装置により得られた水素ガスもしくは水素ガスおよび酸素ガスを用いて前記半導体ウエハを熱処理するように構成したことを特徴とする半導体ウエハ熱処理装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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