サブマウント

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131511
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308443
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】サブマウントの低コスト化およびビアホールに匹敵するエッチングによる貫通孔の高精度形成を可能とする単結晶シリコンを用いたサブマウントを提供する。【解決手段】単結晶のシリコン基板の一部に異方性エッチングによる貫通孔を形成しておき、その両面に存在する金属膜のパターンの一部を電気的に接続するために、その貫通孔に金属膜のパターンを形成したシリコンサブマウントとする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の両面に導電性パターンが形成された半導体レーザダイオードを搭載するためのサブマウントにおいて、前記絶縁性基板は単結晶のシリコン基板からなり、前記シリコン基板の両面に金属膜のパターンを備え、前記シリコン基板の一部にエッチングによる貫通孔を備え、前記貫通孔に金属膜のパターンが形成され、前記シリコン基板の両面にある金属膜のパターンの一部を電気的に接続すると共に、前記シリコン基板の一方の面に薄膜抵抗を形成してあることを特徴とするサブマウント。

IPC (3件)：

H01S 5/022 , H01L 23/12 , H01L 23/14

FI (3件)：

H01S 5/022 , H01L 23/12 J , H01L 23/14 S

Fターム (3件)：

5F073AB11 , 5F073EA14 , 5F073FA13

引用特許：

審査官引用 (2件)

サブマウント
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-181962 出願人：株式会社トクヤマ
特開平2-220491

前のページに戻る