特許

J-GLOBAL ID：200903064912714903

サージ保護用半導体素子およびその製造方法

発明者： 大西 一洋
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小笠原 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-046481
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237104
出願日： 2005年02月23日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】 複数個のLEDを直列接続して搭載できるサージ保護用半導体素子を提供する。【解決手段】 N型半導体基板2には、P型領域3a,3bおよび、N型領域4a,4bが設けられている。アノード電極6aとカソード電極7aの間、および、アノード電極6bとカソード電極7bの間には、LEDが電気的に接続される。N型領域4a,4bとP型領域3a,3bとで構成されるツェナーダイオードD34a,D34bは、その降伏電圧が、各LEDの通常使用時における順方向降下電圧よりも大きく、かつ、各LEDの耐電圧未満になるように設計する。また、P型領域3a,3bとN型半導体基板2とで構成される分離ダイオードD32a,D32bは、その降伏電圧が、全LEDの順方向降下電圧の和よりも高くなるように設計する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

サージから保護すべき素子を並列接続して使用するツェナーダイオードを備えたサージ保護用半導体素子であって、 第1導電型の半導体基板と、 前記ツェナーダイオードをそれぞれに含む複数のサージ保護用回路部と、 前記半導体基板の裏面に形成した裏面電極とを備え、 前記各サージ保護用回路部は、 前記半導体基板の表面から内部に形成した第2導電型領域と、 前記第2導電型領域の表面から内部に形成した第1導電型領域と、 前記第1導電型領域の一部と前記第2導電型領域の一部とを露出する絶縁膜と、 前記絶縁膜から露出した前記第1導電型領域に形成した第1の表面電極と、 前記絶縁膜から露出した前記第2導電型領域に形成した第2の表面電極とを有する、サージ保護用半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/866 ,  H01L 33/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L29/90 D ,  H01L33/00 N ,  H01L27/04 H

Fターム (10件)：

5F038AV04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ20 ,  5F041AA23 ,  5F041BB25 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA83 ,  5F041DB09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• フリップチップ発光ダイオードおよびフリップチップ静電放電保護チップをパッケージにおける電極にダイレクトボンディングする方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-319159   出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー

審査官引用 (1件)

• 複合半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-053669   出願人：サンケン電気株式会社