特許

J-GLOBAL ID：200903064930370774

トランジスタのチャネル温度、熱抵抗測定装置およびその測定方法

発明者： 森本 卓夫 ,  丸橋 建一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (3件)： 机 昌彦 ,  工藤 雅司 ,  谷澤 靖久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-048566
公開番号（公開出願番号）：特開2007-225505
出願日： 2006年02月24日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】トランジスタのある電気的特性を温度指標とするチャネル温度測定方法及び熱抵抗測定方法において、動作状態にあるトランジスタの電力印加をカットしてからの時間tに対するチャネル温度Tchの変化から、電力印加された動作状態のt=0のチャネル温度を外挿する際、精度良く外挿することができるチャネル温度測定方法を提供する。【解決手段】誤差関数erfと積分指数関数Eiを用いて、測定データをTch=α-β・t1/2[erf(1/(2(τ)1/2))-Ei(-1/(4τ))/(2(πτ)1/2)]に最小二乗フィッティングして、外挿を行う。ただし、τ=4at/(LSD2)で、aは半導体の温度伝導率、LSDはチャネル長である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

最初に測定対象トランジスタのある電気的特性のチャネル温度依存性を測定し、次に、該トランジスタに電力を印加して、実使用の動作状態とし、次に、印加電力をカットし、印加電力カット後の時間tにおいて、前記電気的特性を測定することにより、チャネル温度Tchを導出し、該チャネル温度の導出を複数通りの時間tに対して実施し、 該トランジスタを形成する半導体の温度伝導率をaとし、該トランジスタのチャネル長をLSDとし、τを

IPC (1件)：

G01R 31/26

FI (1件)：

G01R31/26 A

Fターム (5件)：

2G003AA01 ,  2G003AB15 ,  2G003AB16 ,  2G003AE06 ,  2G003AH05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭55-57160号公報
  
• MESFETの熱抵抗測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-011881   出願人：沖電気工業株式会社