特許
J-GLOBAL ID：200903064943267123
半導体シリコン材料の再生方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-357110
公開番号（公開出願番号）：特開2007-161505
出願日： 2005年12月12日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】低コストで実現可能な半導体シリコン材料の再生方法を提供する。【解決手段】半導体シリコン材料を再生する方法は、使用されたシリコン屑(半導体シリコン材料)を回収するステップS11と、回収されたシリコン屑からリンを除去するためにゲッタリングを行うステップS12と、シリコン屑に含有されるボロンを不活性化させるステップS13と、不純物が除去または不活性化されたシリコン屑を太陽電池等として再利用するステップS14とを具備する。本発明により、より低コストにて、シリコン屑を再生して、太陽電池等を製造することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
使用された半導体シリコン材料からリンを取り除く半導体シリコン材料の再生方法に於いて、
前記半導体シリコン材料を加熱することにより、前記リンを前記半導体シリコン材料の表面に移動させる加熱工程と、
前記半導体シリコン材料の表面に位置する前記リンを前記半導体シリコン材料から分離する分離工程とを具備することを特徴とする半導体シリコン材料の再生方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
4G072AA01
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072MM08
, 4G072UU01
